Акустоэлектрические Домены
АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ДОМЕНЫ, области сильного электрического поля и большой интенсивности низкочастотных акустических фононов (акустических шумов) в полупроводнике, возникающие при генерации фононов дрейфом носителей заряда за счёт акустоэлектронного усиления (смотри Акустоэлектронное взаимодействие). При приложении к пьезоэлектрическому полупроводнику электрического поля, достаточного для электронного усиления, акустические шумы в нём могут значительно усиливаться. Их интегральная интенсивность может достигать большой величины (до сотен Вт/см2). При этом электропроводность области кристалла с большой интенсивностью шумов уменьшается. Происходит перераспределение напряжения в образце, и возникают области сильного поля - домены. Наблюдаются как статические, так и движущиеся акустоэлектрические домены. Первые, как правило, образуются в высокоомных (например, CdS с удельным сопротивлением 103—105 Ом·см при комнатной температуре), вторые - в низкоомных (GaAs, GaSb, Те, ZnO) материалах. Размеры акустоэлектрического домена обычно составляют 0,1-1 мм. Они возникают главным образом на неоднородностях образца.
Г. Д. Мансфельд.