Антисегнетоэлектрики

АНТИСЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, вещества (обычно диэлектрики), для которых характерна аномалия диэлектрической проницаемости, возникновение сверхструктуры ниже температуры фазового перехода и отсутствие макроскопической спонтанной электрической поляризации.

Термин «антисегнетоэлектрики» исторически возник для идентификации электрических аналогов антиферромагнетиков. В результате смещений атомов при структурном фазовом переходе в антисегнетоэлектриках возникает антипараллельная ориентация дипольных моментов соседних элементарных ячеек, и результирующий дипольный момент становится равным нулю. В ряде веществ свободная энергия антисегнетоэлектрической фазы оказывается близка к энергии сегнетоэлектрической фазы (смотри Сегнетоэлектрики), и наложением электрического поля можно осуществить переход между этими фазами. В таких случаях наблюдаются характерные зависимости поляризации от электрического поля - двойные петли гистерезиса ниже температуры фазового перехода. Типичными антисегнетоэлектриками являются кристаллы PbZrO3, WO3, NaNbO3, NH4Н2РО4.

Лит. смотри при статье Сегнетоэлектрики.

Б. А. Струков.

Связанные статьи