Ганна диод

ГАННА ДИОД, двухэлектродный полупроводниковый прибор (не содержащий р-n-перехода) с отрицательным дифференциальным сопротивлением, возникающим в однородном кристалле полупроводника при наложении сильного постоянного электрического поля (порядка нескольких кВ/см); действие основано на Ганна эффекте. Предназначен для генерирования и усиления СВЧ-колебаний в диапазоне частот 1-100 ГГц. Обычно представляет собой ПП слой с вертикальной структурой типа n⁺-n-n⁺ (толщиной от единиц до десятков микрометров), заключённый между металлическими контактами; изготовляется чаще всего на основе арсенида галлия GaAs или фосфида индия InP методом эпитаксиального наращивания. Ганна диод характеризуются низким напряжением питания (от единиц до десятков вольт), низким уровнем амплитудных шумов; выходная мощность составляет до нескольких киловатт в импульсном режиме и до десятков ватт - в непрерывном режиме. Ганна диоды применяются в телеметрических системах, переносных радиолокационных станциях, радиолокационных высотомерах и др. Планарные Ганна диоды (с горизонтальной ПП-структурой) используются в быстродействующих интегральных схемах.