Ионное травление
ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ, удаление вещества с поверхности твёрдого тела под действием ионной бомбардировки. В основе ионного травления лежит эмиссия ионов, атомов и кластеров с поверхности при её ионной бомбардировке. Процессы распыления и, соответственно, ионного травления зависят от интенсивности ионного пучка, вида, энергии и угла падения ионов, а также от материала и состояния мишени. В результате ионного травления происходит изменение структуры и состава поверхности, которое определяется различными физическими процессами: в первую очередь распылением, дефектообразованием, имплантацией ионов и атомов отдачи, радиационно-стимулированной диффузией. Изменение структуры обусловлено появлением дефектов и дальнейшим возникновением микрои макроскопических неоднородностей, что приводит к определённому рельефу поверхности (ямки травления, пирамиды, конусы и т.д.). При травлении ионами химически активных газов (так называемое ионно-химическое травление) используется высокая селективность (избирательность) распыления, например при распылении поверхностных плёнок без травления подложки. В частности, селективность распыления SiO2 по отношению к Si широко используется при создании полупроводниковых приборов.
Ионное травление применяется для чистки поверхности, причём при определённых условиях не только не развивается рельеф, но и появляется возможность получения атомно-гладкой поверхности за счёт многих циклов травления - отжиг; для выявления структуры поверхности, дефектов, деформированных участков; для создания многоострийной поверхности; для профилирования при послойном анализе состава методами оже-спектроскопии.
Лит. смотри при ст. Ионная имплантация.
И. Ф. Уразгильдин.